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沟道长度调制效应公式,特性曲线-KIA MOS管
以在加栅压Vgs且形成导电沟道的情况下的NMOSFET为例。若漏源电压Vds增大至不可忽略，沟道电压降增大直至Vgd=VT时，由于栅漏之间电压差降低，漏端附近反型层消失，称为沟道夹断。www.kiaic.com/article/detail/4483.html 2023-09-13
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二极管类型及符号大全,含义图文详解-KIA MOS管
二极管是用半导体材料制成的一种电子器件，由PN结、外部引线、管壳封装而成，文字符号为VD。www.kiaic.com/article/detail/4482.html 2023-09-13
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3406场效应管参数引脚图 60V80A场效应管-KIA MOS管
MOS管KCX3406A：漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为80A；RDS (on) = 8.5mΩ(typ)@VGS =10V。KCX3406A是采用KIA的LVMOS技术生产的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。www.kiaic.com/article/detail/4481.html 2023-09-12
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二极管正负极判断,识别图分享-KIA MOS管
二极管（ Diode），二极管是由半导体材料（硅、硒、锗等）制成的。二极管的正、负二个端子,一端称为阳极,一端称为阴极。二极管是一种具有两个电极的装置，电流只能从阳极向阴极方向移动。www.kiaic.com/article/detail/4480.html 2023-09-12
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镇流器原理,作用,电子镇流器电路图-KIA MOS管
镇流器（ballast resistor）是日光灯上起限流作用和产生瞬间高压的设备，是一种限制通过电气负载的电流的装置，用于限制电路中的电流量。www.kiaic.com/article/detail/4479.html 2023-09-12
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5N50参数及代换,5N50场效应管引脚图-KIA MOS管
高压MOS管KIA5N50H最高承受电压可达500V，漏极电流最大值为5A；低内阻：1.25Ω，能够承受高电流，使得电器的效率更高，低开关损耗：开关速度快，开关损耗小，节能环保。适用于各种高功率应用场合，如无刷电机、安定器等。封装形式：TO-252；脚位排列位GDS。www.kiaic.com/article/detail/4478.html 2023-09-11
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boost升压电路原理,boost电路如何实现升压-KIA MOS管
boost升压电路是基本斩波电路之一，是一种输出电压大于等于输入电压的单管非隔离直流变换电路。主要应用于直流电动机传动、单相功率因数校正（PFC）电路及其他交直流电源中。www.kiaic.com/article/detail/4477.html 2023-09-11
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续流二极管工作原理,作用介绍图文-KIA MOS管
续流二极管（flyback diode），与普通二极管不同的是，在正向工作状态下，它可充当一个低电阻和高速电路；而在反向截止状态下，它则表现出较高的电压耐受能力。www.kiaic.com/article/detail/4476.html 2023-09-11
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大功率MOS管7880A 27A 800V场效应管27n80-KIA MOS管
大功率高压MOS管KNK7880A：漏源击穿电压高达800V，漏极电流最大值为27A；RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，开关速度快等优点，适用于无刷电机驱动、电焊机、电源分流器、电箱等产品。封装形式：TO-264；脚位排列位GDS。www.kiaic.com/article/detail/4475.html 2023-09-08
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s9014,s9014参数管脚图，资料手册-KIA MOS管
s9014是一种常见的三极管，是低功耗低噪声晶体管，为NPN极性，集电极稳定工作在4.5~18V之间，在其直流电流下，其最大收益率可以达到200。s9014参数还具有响应速度快、电阻低、温度稳定等特点。www.kiaic.com/article/detail/4474.html 2023-09-08
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延时开关电路设计、电路图、原理-KIA MOS管
延时开关电路，当人工按动开关时，电源接通对电路供电，待一定的时间，电源自动被切断，对电路停止供电。或者当按动开关的时候，电路过一段时间才开始供电的电路。www.kiaic.com/article/detail/4473.html 2023-09-08
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多相升压转换器应用车载音频电源设计-KIA MOS管
车载音频放大器通常使用升压转换器来生成 18 V～28 V（或更高）的电池输出电压。在这些 100W 及 100W 以上的高功耗应用中，需要大升压电感、多个级别的输出电容器、并行 MOSFET 及二极管。www.kiaic.com/article/detail/4472.html 2023-09-07
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光耦参数,光耦主要参数图文分析-KIA MOS管
光耦是一种电子元器件，用于隔离输入与输出，使得两个不同的电路之间可以进行光电转换。www.kiaic.com/article/detail/4471.html 2023-09-07
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cpld结构特点,cpld和fpga的区别-KIA MOS管
CPLD是“复杂可编程逻辑器件”（Complex Programmable Logic Device）的缩写。是一种数字电路硬件设备。CPLD采用多级可编程逻辑门阵列（PAL）和可编程互连资源（PIR）的组合实现逻辑功能，具有小型化、灵活性高、低功耗等特点。www.kiaic.com/article/detail/4470.html 2023-09-07